型号:
STY60NK30Z
数量:
1200
厂商:
ST
批号:
16+
封装:
TO-3P
货期:
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详细信息
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包装 ?管件 ?
零件状态在售
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
Drain to Source Voltage (Vdss)300V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)220nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)7200pF @ 25V
Vgs(最大值)±30V
FET 功能-
功率耗散(最大值)450W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)45 毫欧 @ 30A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装MAX247?
封装/外壳TO-247-3

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