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型号：
STY60NK30Z
数量：
1200
厂商：
ST
批号：
Newest
封装：
TO-3P
货期：
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价格
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￥25.00
100-999
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￥21.80
￥25.00
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详细信息
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包装 ?管件 ?
零件状态在售
FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
Drain to Source Voltage (Vdss)300V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）220nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）7200pF @ 25V
Vgs（最大值）±30V
FET 功能-
功率耗散（最大值）450W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）45 毫欧 @ 30A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装MAX247?
封装/外壳TO-247-3

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