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中平电子
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IRF9530NPBF

【产品名称】:IRF9530NPBF

【产品规格】:FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc) 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 200 毫欧 @ 8.4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 760pF @ 25V 功率 - 最大值 79W 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

【生产厂家】:IR

【产品说明】:FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc) 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 200 毫欧 @ 8.4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 760pF @ 25V 功率 - 最大值 79W 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商器件封装 TO-220AB

【更新时间】:2016-06-28 10:32:20

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原装进口,原装现货
 FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc) 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 200 毫欧 @ 8.4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 760pF @ 25V 功率 - 最大值 79W 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商器件封装 TO-220AB
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